Αρχειοθήκη ιστολογίου

Αναζήτηση αυτού του ιστολογίου

Παρασκευή 14 Σεπτεμβρίου 2018

Single-Digit Nanometer Electron-Beam Lithography with an Aberration-Corrected Scanning Transmission Electron Microscope

58272fig1.jpg

We use an aberration-corrected scanning transmission electron microscope to define single-digit nanometer patterns in two widely-used electron-beam resists: poly (methyl methacrylate) and hydrogen silsesquioxane. Resist patterns can be replicated in target materials of choice with single-digit nanometer fidelity using liftoff, plasma etching, and resist infiltration by organometallics.

https://ift.tt/2MxxcuT
στις

Δεν υπάρχουν σχόλια:

Δημοσίευση σχολίου

Σημείωση: Μόνο ένα μέλος αυτού του ιστολογίου μπορεί να αναρτήσει σχόλιο.

Εγγραφή σε: Σχόλια ανάρτησης (Atom)